▪ 効率: 平均効率が 25% を超える
▪発電: 発電ゲイン最大 5%+
▪両面係数: 高い両面係数 >95%
▪テクニック: 4-6ステップテクニック
▪排水:NH3-N排水ゼロ
▪量産:厚さ120umのシリコンウェーハの量産能力
▪温度: 生産温度 ≤ 250℃
▪歩留まり:平均歩留まりは98%と高い
▪減衰なし: PID.LID 効果なし
▪温度係数: 低い温度係数
サイズ | 210mm×105mm±0.25mm |
厚さ(Si) | 120μm±20μm |
材料 | N型単結晶シリコン |
効率Eff (%) | 26.0 | 25.9 | 25.8 | 25.7 | 25.6 | 25.5 | 25.4 | 25.3 | 25.2 | 25.1 | 25.0 | 24.9 |
最大電力Pmpp(W) | 5.73 | 5.71 | 5.69 | 5.67 | 5.64 | 5.62 | 5.60 | 5.58 | 5.56 | 5.53 | 5.51 | 5.49 |
開放電圧 Uoc(V) | 0.752 | 0.751 | 0.751 | 0.750 | 0.750 | 0.749 | 0.749 | 0.748 | 0.748 | 0.748 | 0.747 | 0.747 |
短絡電流 Isc(A) | 8.806 | 8.797 | 8.772 | 8.748 | 8.730 | 8.719 | 8.687 | 8.672 | 8.658 | 8.631 | 8.623 | 8.604 |
曲線因子 FF(%) | 86.61 | 86.42 | 86.38 | 86.36 | 86.30 | 86.21 | 86.19 | 86.10 | 85.91 | 85.88 | 85.52 | 85.48 |
最大電圧Umpp(V) | 0.682 | 0.681 | 0.680 | 0.679 | 0.679 | 0.678 | 0.678 | 0.677 | 0.676 | 0.675 | 0.674 | 0.673 |
最大電流Impp(A) | 8.410 | 8.382 | 8.368 | 8.340 | 8.327 | 8.315 | 8.276 | 8.261 | 8.238 | 8.218 | 8.186 | 8.172 |
効率Eff (%) | 24.8 | 24.7 | 24.6 |
最大電力Pmpp(W) | 5.47 | 5.45 | 5.42 |
開放電圧 Uoc(V) | 0.747 | 0.746 | 0.746 |
短絡電流 Isc(A) | 8.592 | 8.586 | 8.577 |
曲線因子 FF(%) | 85.30 | 85.11 | 84.87 |
最大電圧Umpp(V) | 0.672 | 0.671 | 0.670 |
最大電流Impp(A) | 8.149 | 8.135 | 8.115 |
LSC温度係数α(%/K) | +0.07 |
VOC温度係数β(%/K°) | -0.36 |
Pmax 温度係数 v (%/K°) | -0.38 |
IV パラメータの定格テスト条件は標準テスト条件 (放射照度 10.0 Wm7、AM 1.5、セル温度 25'°C) であり、すべての測定はラミネート リードで保証されています。 NOCTは、1000W/㎡、周囲温度20℃、1m/sでの風速を測定します。仕様は予告なく変更される場合があります。
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